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JSC 'Angstrem-T'

国家
俄罗斯俄罗斯
在平台上工作 GRT
5 年 6 月
交流语言
俄语 , 英语
国家经验
ru俄罗斯

公司介绍

JSC“埃-T”合同制造与拓扑90-130nm亚微米的半导体器件,以期的过渡到65纳米及以下的制造水平,提供一个完整的生产周期。
JSC“埃-T”在晶体(芯片)设计的各个阶段提供设计服务,经过认证的路线设计和高素质人才的经验。
本公司以“埃-T”的成立2005年6月10日。
该公司的主要目标 - 实现对创作的合约制造的亚微米半导体产品130-90纳米技术标准的投资项目,以期发展和过渡到65纳米的水平。
公司的基本商业模式是生产板材的使用自己的高技术制造业,先进的亚微米技术和全方位的服务在与客户互动的各个阶段合同的基础上晶体提供全面的服务范围。
JSC“埃-T”创建一个科学工业,其中包括:
仓储建设,清洁生产清洁类设施1000,配备了所有必要的工程基础设施建设,确保技术的进一步发展。
包装工程,过程,控制,测量和分析设备提供拓扑实施的尺寸小于90纳米。
电源的自主中心基于36 MW三生气体活塞电站设计容量。
符合最严格的国际和国内环境标准的工业废水系统的综合利用。
设计中心,为专利产品集中在技术生产工艺的基础设施和发展设计的设计提供了所有必要的创建。
通过测量结晶片和组装入壳体生产的产品线。
复杂的允许技术升级至45纳米的水平,而不工程基础设施的实质性重组。
该项目涉及使用许可技术和设备的领先公司在其细分市场生产的。服务和支持技术设备,以及现代化建设,将在项目的整个生命在世界标准水平来实现。
该项目的形式国内外无晶圆公司和设计中心,专门在创造现有和新类型的电子产品的目标市场。
该项目的主要债权人是Vnesheconombank银行。总成交量投资896万欧元,Vnesheconombank银行的参与815亿欧元。
2016年7月30日,获得许可Mosgosstrojnadzora进入设施。这意味着,自2016年八月,公司能生产,销售的产品,并享受一个完整的业务。
在建产的主要参数
区洁净室(NWP) - 7500平方米。
生产能力 - 每月15个000片。
所产生的板的直径 - 100毫米。
制造工艺 - 130-90纳米,9族金属(Cu)制成。
主要参与者:
* AMD公司,美国
核心技术提供商。
技术设备的套件的供应商。
支持技术转让。
* NEOLANT,俄罗斯
一般设计师。
现场监督。
该公司的“埃-T”高度重视,制定接着是质量管理体系和安全要求的发展,计划下列规定来开展活动:
质量管理体系
实施策略,以满足通过质量管理程序ISO 9001的消费需求:2008年与该公司的主要领域。
环境管理体系
规划按照环境管理体系ISO 14001的要求,环保:2004年,集成到整个企业的质量控制体系。
限制使用有害物质
根据该指令六十五分之二千○一十一/欧盟RoHS AO“埃-T”声明在最终产品给消费者不使用有害物质。
健康和劳动安全
它特别注重企业的工作人员和医务人员的安全条件。现代自动化和企业安全系统提供了健康保障管理体系和职业安全OHSAS 18001下的要求:2007。
信息安全
维护信息的保密性,完整性和可用性是公司内部的相互作用的关键要求,以及与外部消费者。信息安全管理操作的实施,公司计划按照ISO / IEC 27001进行:2005年,集成到整个企业的质量控制体系。
地址
город Москва, Зеленоград, 124498, Георгиевский проспект 7
旅店
7735128151
奥格纳
1057735022377
电话
79857646292
E-mail
JMirokhin@angstrem-t.com
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